ALD系統(tǒng)AT410原子層沉積設(shè)備提供了用于3D樣品制備的共形導(dǎo)電薄膜解決方案，同時還提供了目前使用濺射/蒸發(fā)生長的傳統(tǒng)2D涂層。ALD系統(tǒng)AT410不僅推動了邊界，而且是當(dāng)前樣品制備過程的有效替代品，所有樣品制備都在可比價格點的臺式配置內(nèi)。
用于電子顯微鏡的樣品通常受益于添加薄膜。它通常是導(dǎo)電材料，如Pt、Pd或Au。這些導(dǎo)電層有助于抑制充電，減少局部束加熱造成的熱損傷，并改善二次電子信號。傳統(tǒng)上，這些薄膜是使用PVD技術(shù)生長的。隨著技術(shù)的進(jìn)步，某些類型的樣品不適用于PVD，因為需要涂層的特征不適用于現(xiàn)場生長線。
研究人員將受益于獲得通過ALD生長的導(dǎo)電薄膜，因為已經(jīng)開發(fā)了一種優(yōu)化小樣本導(dǎo)電金屬生長的系統(tǒng)。
ALD系統(tǒng)AT410原子層沉積設(shè)備特點
適合4''樣品
壓力可控0.1-1.5TORR
滿足小樣品鍍膜需要
7''觸摸屏 PLC控制系統(tǒng)
精密以規(guī)定劑量體積給料系統(tǒng)
所有金屬密閉系統(tǒng)
ALD系統(tǒng)AT410原子層沉積設(shè)備規(guī)格參數(shù)
腔體溫度范圍：室溫~325℃± 1 °C
Precursor前體溫度：室溫RT~150 °C ± 2 °C
流線型腔室設(shè)計，腔室體積小
快速循環(huán)能力（高達(dá)1.2nm/min Al2O3）和高曝光、深穿透處理
ALD系統(tǒng)AT410原子層沉積設(shè)備可沉積材料