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ICP-500D-薄膜沉積CVD

2025-07-18

產(chǎn)      地:
所在地區(qū):
北京北京市
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SENTECH ICP等離子沉積系統(tǒng)-SI 500D


是主流的半導(dǎo)體設(shè)備商,研發(fā)、制造和銷售良好的薄膜測量儀器(反射儀、橢偏儀、光譜橢偏儀)和等離子工藝設(shè)備(等離子刻蝕機(jī)、等離子沉積系統(tǒng)、用戶定制系統(tǒng))。

SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備,利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜??稍跇O低溫度下(< 100oC)沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜??梢詫?shí)現(xiàn)沉積薄膜厚度、折射率、應(yīng)力的連續(xù)調(diào)節(jié)。



SI 500 D主要特點(diǎn):

  • 適用于8寸以及以下晶片

  • 低溫沉積高質(zhì)量電介質(zhì)膜:80°C~350°C

  • 高速率沉積

  • 低損傷

  • 薄膜特性 (厚度、折射率、應(yīng)力) 連續(xù)可調(diào)

  • 平板三螺旋天線式PTSA等離子源 (Planar Triple Spiral Antenna)

  • SENTECH高級等離子設(shè)備操作軟件

  • 穿墻式安裝方式


系統(tǒng)配置:




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