元素分析范圍S-U任意元素

A.定量測(cè)試ROHS和鹵素中的 鉛（Pb）、汞（Hg）、鎘（Cd）、鉻(Cr)、多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴聯(lián)苯醚（PBDE）中的總溴,鹵素中的溴(Br)、氯（Cl）銻（Sb）、砷(AS)、錫(Sn)。

B.可檢測(cè)金屬鍍層厚度，鍍層檢測(cè)厚度范圍：0.005-50μm（視材料類型而有所不同）首層厚度0.05μm以上測(cè)量誤差小于5%，穩(wěn)定性小于1%，次層厚度0.25μm測(cè)量誤差小于10%，穩(wěn)定性小于1.5%。最小測(cè)量厚度0.005μm.顯示精度0.0001μm.

C.可分析金屬成分，如不銹鋼、銅合金、鋅合金、錫鉛合金、貴金屬分析等.

X射線管：

管電壓/0～50 kV 管電流/1～1000 μA，功率: 50 W，燈絲電壓: 2.0V，燈絲電流: 1.7 A，射線取出角：12°靶材：鎢靶，鈹窗厚度：400um，超溫超載保護(hù)，不工作時(shí)自動(dòng)進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)延長使用壽命。

探測(cè)器：

美國Amptek Si-PIN高靈敏度探測(cè)器，分辨率：149±5eV。

高壓電源：

輸入電壓: DC +24V±10%，輸入電流：4.25A，輸出電壓: 0 -50KV & 1mA ，功率：50W，電壓調(diào)整率：0.01% （從空載到滿載）

電流調(diào)整率：0.01% （從空載到滿載），紋波電壓：輸出額定電壓前提條件下，紋波電壓的峰值為輸出電壓的0.25%，8小時(shí)穩(wěn)定性：≤0.05%。