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元素分析范圍S-U任意元素
A.定量測(cè)試ROHS和鹵素中的 鉛(Pb)、汞(Hg)、鎘(Cd)、鉻(Cr)、多溴聯(lián)苯(PBB)和多溴聯(lián)苯醚(PBDE)中的總溴,鹵素中的溴(Br)、氯(Cl)銻(Sb)、砷(AS)、錫(Sn)。
B.可檢測(cè)金屬鍍層厚度,鍍層檢測(cè)厚度范圍:0.005-50μm(視材料類型而有所不同)首層厚度0.05μm以上測(cè)量誤差小于5%,穩(wěn)定性小于1%,次層厚度0.25μm測(cè)量誤差小于10%,穩(wěn)定性小于1.5%。最小測(cè)量厚度0.005μm.顯示精度0.0001μm.
C.可分析金屬成分,如不銹鋼、銅合金、鋅合金、錫鉛合金、貴金屬分析等.
X射線管:
管電壓/0~50 kV 管電流/1~1000 μA,功率: 50 W,燈絲電壓: 2.0V,燈絲電流: 1.7 A,射線取出角:12°靶材:鎢靶,鈹窗厚度:400um,超溫超載保護(hù),不工作時(shí)自動(dòng)進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)延長使用壽命。
探測(cè)器:
美國Amptek Si-PIN高靈敏度探測(cè)器,分辨率:149±5eV。
高壓電源:
輸入電壓: DC +24V±10%,輸入電流:4.25A,輸出電壓: 0 -50KV & 1mA ,功率:50W,電壓調(diào)整率:0.01% (從空載到滿載)
電流調(diào)整率:0.01% (從空載到滿載),紋波電壓:輸出額定電壓前提條件下,紋波電壓的峰值為輸出電壓的0.25%,8小時(shí)穩(wěn)定性:≤0.05%。