迄今汞膜電極仍被廣泛地應(yīng)用在負電位區(qū)間的電位窗寬，可與許多金屬生成汞齊等用于環(huán)境樣品中定量檢測痕量、超痕量重金屬離子及有電氧化還原特性的生化物質(zhì)．

玻碳汞膜電極( GC /MFE) 或金屬汞膜電極表面上的汞常由于不同的分布狀態(tài)，膜上負載的汞量會隨著測定次數(shù)增加而損耗，影響測定數(shù)據(jù)的重復性和分析結(jié)果的重現(xiàn)性．

嘗試以不同的方法改進汞膜的組裝，構(gòu)建化學修飾型復合汞膜電極并用于痕量重金屬的溶出法測定，以多核氰橋無機導電聚合物為內(nèi)膜修飾層的復合汞膜電極是有效的手段之一．

無機多核過渡金屬氰橋化合物的類普魯士藍( PB) 材料以其包含［Fe( CN)6］3 － /［Fe( CN)6］4 － 優(yōu)良電子傳遞能力的氧化還原電子對，同時有類似于有機聚合物的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)、化學穩(wěn)定性好、制備簡單和成本低的特點．擬以玻璃碳基電極( GC) 為基底，分別制備鑭離子和鈷離子摻雜類普魯士藍修飾的復合汞膜電極，并與直接在基底表面鍍汞膜( GC/MFE) 對比，期能篩選出穩(wěn)定性、靈敏度以及抗有機共存物污染能力得到明顯改善，可應(yīng)用于微量Pb2 + 測定的新型復合汞膜電極。