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濺射現(xiàn)象的幾個(gè)特點(diǎn)

來(lái)源:深圳市京都玉崎電子有限公司   2025年07月18日 11:45  

1)用某種離子在固定電壓下去轟擊不同的靶材,s會(huì)隨元素周期表的族而變化。反之,靶材種類確定,用不同種類的離子去轟擊靶材,s也隨元素周期表的族作周期性變化。

2)S隨入射離子的能量(即加速電壓V)的增加而單調(diào)地增加。不過(guò),V有臨界值(一般為10V)。在10V以下時(shí),S為零。當(dāng)電壓≥10KV時(shí),由于入射離子會(huì)打入靶中,S反而減少了。

3)對(duì)于單晶靶,s的大小隨晶面的方向而變化。因此,被濺射的原子飛出的方向是不遵守余弦定律的,而有沿著晶體的最稠密面的傾向。

4)對(duì)于多晶靶,離子從斜的方向轟擊表面時(shí),S增大。由濺射飛出的原子方向多和離子的正相反方向相一致。

5)被濺射下來(lái)的原子所具有的能量比由真空蒸發(fā)飛出的原子所具有的能量(~0.1eV)大1~2個(gè)數(shù)量級(jí)。


混入薄膜中的氣體分子:用濺射法制作的Ni薄膜時(shí),當(dāng)濺射電壓在100V以下時(shí),Ar幾乎沒(méi)有混入。可是,一到100V以上,薄膜中的Ar原子數(shù)急劇增加。


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