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VIL1000激光干涉光刻機(jī)

2025-07-29

產(chǎn)      地:
暫無(wú)
所在地區(qū):
上海上海市
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VIL1000激光干涉光刻機(jī)

VIL1000激光干涉光刻機(jī)

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1、 可實(shí)現(xiàn)同一晶圓上不同納米結(jié)構(gòu)的分區(qū)光刻;

2、 制作各種一維、二維納米圖案;

3、 最小線寬低于50nm;

4、 與其他同類設(shè)備的功能對(duì)比圖如下:



電子束直寫(xiě)

激光直寫(xiě)

紫外光刻機(jī)

激光干涉光刻機(jī)

設(shè)備示例




代表廠商

德國(guó)的RaithVistec, 日本的JEOLElionix

海德堡和Raith

Eulitha

InterLitho

代表性產(chǎn)品型號(hào)

Raith

EBPG Plus

海德堡

DWL 66+

Eulitha

PhableR 100

VIL1000


主要用途

高分辨率掩模版制造和納米結(jié)構(gòu)的制備

對(duì)分辨率要求不高的掩模版制造和納米結(jié)構(gòu)制備

分辨率適中的納米結(jié)構(gòu)制備

大面積、低成本、高通量制備高分辨率周期性納米結(jié)構(gòu),用于微納光學(xué)、生物芯片等新興應(yīng)用


刻寫(xiě)的最小物理線寬

<10nm

~300nm

60nm

40nm

價(jià)格和維護(hù)成本

較低

自動(dòng)化程度

全自動(dòng)

全自動(dòng)

部分手動(dòng)

全自動(dòng)

設(shè)備效率

需要掩模

特征尺寸調(diào)制難度

難,樣品需要重新刻寫(xiě)

難,樣品需要重新刻寫(xiě)

難,需要重新刻寫(xiě)模板

容易,幾分鐘可實(shí)現(xiàn)






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